目前多晶硅生產(chǎn)技術(shù)在國(guó)內(nèi)主要是以改良西門子法—閉環(huán)式三氯氫硅氫還原法是用氯氣和氫氣合成氯化氫為主， 氯化氫和工業(yè)硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅， 然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純， 提純后的三氯氫硅在氫還原爐內(nèi)進(jìn)行CVD 反應(yīng)生產(chǎn)高純多晶硅。然而，游離氧和水分對(duì)合成反應(yīng)極為有害，因?yàn)镾i-O鍵比Si-Cl 鍵更為穩(wěn)定， 反應(yīng)產(chǎn)物極易發(fā)生氧化和水解，使SiHCl3的產(chǎn)率降低，水解生成的硅膠會(huì)堵塞管道，使操作困難，水解產(chǎn)生的鹽酸對(duì)設(shè)備有強(qiáng)烈的腐蝕作用。游離氧或水分還能在硅表面逐漸形成致密的氧化膜，影響正常反應(yīng)的進(jìn)行，同時(shí)多晶硅生產(chǎn)過(guò)程存在大量Cl2、HCl 等腐蝕性氣體， 氣體中含有的水分超標(biāo)時(shí)就會(huì)形成鹽酸等腐蝕性物質(zhì)。為了防止水含量超標(biāo)腐蝕生產(chǎn)設(shè)備，確保設(shè)備長(zhǎng)期可靠地運(yùn)行， 必須對(duì)某些過(guò)程氣中水含量進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。多晶硅生產(chǎn)企業(yè)要針對(duì)防腐的需要， 實(shí)時(shí)檢測(cè)氫中微量水、氯中微量水、氯化氫總管中微量水等，一旦檢測(cè)到水含量超標(biāo)， 微量水分析儀將發(fā)出報(bào)警信號(hào)，提醒操作人員檢查生產(chǎn)運(yùn)行情況，為此，必須對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中的微量氧和微量水實(shí)時(shí)監(jiān)控。
    微量水分析儀具有*的可靠性和測(cè)量重復(fù)性。新一代傳感器在電極和P2O5涂層工藝方面的進(jìn)展，使之在強(qiáng)腐蝕性氣體中的應(yīng)用成為可能。微量水分析儀產(chǎn)品具有三十年的歷史，積累了豐富的生產(chǎn)和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。本產(chǎn)品在世界各地占有較大的*?，F(xiàn)以成功地應(yīng)用在空分、煉油、石油化工等領(lǐng)域，使用效果受到好評(píng)。
    微量水分析儀在下列氣體中得到廣泛應(yīng)用，氮、氫、氧、臭氧、氦、氬、氙、乙炔、二氧化碳、氯、甲烷、氟、氟化氫、二氧化硫、硫化氫、天然氣和許多其它氣體。
    儀器特點(diǎn)：
    1．安裝方便：儀器可以放置在桌面上，可以便攜，可以安裝在墻壁上， 也可以安裝在19#儀表機(jī)架上。
    2．測(cè)量范圍寬：從幾個(gè)PPm到5000PPm均可測(cè)量。有液晶顯示PPm數(shù)值， 也可輸出4-20mA模擬量。
    3．適應(yīng)氣體廣：除了與磷酸起反應(yīng)的物質(zhì)、氨氣中的水份外，其他氣體 中的微量水均可測(cè)量。zui典型的應(yīng)用范圍是：惰性氣體、碳?xì)浠衔?、腐蝕性氣體，如氯、氯化氫、二氧化硫等。
    4．操作簡(jiǎn)單、維護(hù)量非常小：儀器不用定期標(biāo)定，直接測(cè)量即可。
    5．傳感器可以再生，因此儀器壽命長(zhǎng)。當(dāng)電極被污染之后，不用再買電 極，操作人員可以按規(guī)定要求對(duì)電極進(jìn)行再生，方法非常簡(jiǎn)便，效果與原電極*一樣。而且，這種再生功能可用多次，對(duì)電極無(wú)損害。一組電極可用8年以上。
    6．TMA-202型微量水分儀可以在防爆區(qū)工作。探頭與放大器之間距離可 達(dá)300米，若配置電纜，zui大距離可達(dá)1000米。